Appendix A –Power Delivery/Capacitor Specifications
Revision 1.1
PRELIMINARY
SanDisk iNAND Product Manual
Appendix A
Power Delivery and Capacitor Specifications
A.1
SanDisk iNAND Power Domains
SanDisk iNAND has three power domains assigned to VDD_H, VDD_F, and FCAP as
shown in Table 1.
Table 1. Power Domains
Pin
VDD_H
VDD_F
FCAP
Power Domain
Host Interface
Memory
Internal
Comments
Supported voltage ranges:
High Voltage Region: 3.3V (nominal)
Low Voltage Region: 1.8V (nominal)
Supported voltage range:
High Voltage Region: 3.3V (nominal)
FCAP is the internal regulator connection to an
external decoupling capacitor.
A.2
A.2.1
Capacitor Connection Guidelines
FCAP Connections
The FCAP (C2) ball must only be connected to an external capacitor that is connected to
VSS. This signal may not be left floating. The capacitor ’s specifications and its placement
instructions are detailed below.
The capacitor is part of an internal voltage regulator that provides power to the controller.
Caution: Failure to follow the guidelines below or connecting the FCAP ball to any
external signal or power supply may cause the device to malfunction.
The trace requirements from the FCAP (C2) ball to the capacitor are as follows:
?
?
Resistance: <2 ohm
Inductance: <5 nH
The capacitor requirements are as follows:
?
?
?
Capacitance: >=2.2 uF
Voltage Rating: >=6.3 V
Dielectric: X7R or X5R
? 2007 SanDisk Corporation
A-1
02/09/07
相关PDF资料
SDK-DM3730-10-256512R KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X
SDK-DM3730-20-256512R KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X
SE162216 ENCLOSURE ASSY 6U X 19" X 16"
SF-2194 RACK SWING FRAME 38"X21.25" BLK
SF-2294 RACK SWING FRAME 35" X 19"
SFD1200-12BG FRONT END DC/DC 1200W 12V
SFH21-PPPN-D07-ID-BK-M181 CONN RECEPT 14POS 2MM IDT GOLD
SFH21-PPPN-D20-ID-BK CONN RECEPT 40POS 2MM IDT GOLD
相关代理商/技术参数
SDIN2C1-512M 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C1-512M-Q 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C1-512M-T 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-1G 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-1G-T 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G-T 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-8G 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM